半導體封裝是一套非常復雜的流程，支撐起了全球龐大的產業鏈條，這個鏈條上的每一環都有著細致的分工和嚴苛的要求，封裝形式和封裝技術也非常多，且在不斷迭代當中。

隨著終端市場需求的不斷升級，如今半導體材料已經發展到了第三代，第四代也已在研究當中，雖然現在還未得到廣泛應用，但對下游產業鏈的發展有著積極的導向作用。

第一代半導體材料中的硅（Si）目前依然是市場上最主流的半導體材料，制程技術最為成熟，成本也最低；第二代半導體材料主要應用在射頻、通訊及照明產業，市場份額相對較小。

第三代半導體材料具有寬禁帶、高熱導率、高發光效率、高電子密度、高遷移率、高飽和電子速度等特性。SiC的擊穿電場強度高于Si一個數量級，飽和電子漂移速度是Si的2.5倍。

所以，第三代半導體材料更適用于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在5G基站、快充、智能電網、新能源汽車、半導體激光器等領域大有可為。